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为进一步弘扬中国科学家精神，激发广大科技工作者的荣誉感、自豪感、责任感，中共中央宣传部、中国科协、科技部、中国科学院、中国工程院、国防科工局决定在全社会广泛开展2021年“最美科技工作者”学习宣传活动。

按照总体安排，中国电源学会遴选发布了本学科“最美科技工作者”。共有5位优秀科技工作者获得了2021年电源领域“最美科技工作者”称号。学会撰写整理了5位人选的优秀事迹材料，在电源领域开启集中学习宣传，旨在引导和激励广大电源科技工作者学习最美、争当最美，为行业发展提升和服务国家需求贡献智慧力量。

朱淼

上海交通大学教授

朱淼教授现任上海交通大学电气工程系总支书记、兼任国家能源智能电网（上海）研发中心副主任。八年来，身处电力电子三尺讲台，教书育人；情系直流电力星辰大海，攻坚克难。

在10余年来的学术研究与科技工作中，朱淼教授选择“交直流功率变换基础理论与关键技术”为突破点，以新能源电力电子与能源互联网应用场景，聚焦理论前沿与国家重点领域创新工程实践，在复杂直流电力系统、可再生能源直流并网与功率变换器基础理论等方面形成了具有自身特色的一系列成果。

杨树

浙江大学“百人计划”研究员，博士生导师

杨树，女，浙江大学“百人计划”研究员，博士生导师，现任浙江大学电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位、于香港科技大学获博士学位（导师：IEEE Fellow， Kevin J. Chen教授）；曾在香港科技大学担任客座助理教授、于英国剑桥大学从事博士后研究（合作教授：英国皇家工程院院士，Florin Udrea教授）。长期专注于宽禁带半导体功率器件（芯片）设计、微纳制造及可靠性研究。

宽禁带半导体功率器件是《中国制造2025》重点发展的电力装备、航空航天、轨道交通、新能源汽车等领域的重要支撑技术。宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件能够在电力电子应用中提供高频率、小尺寸、低功耗、高能效等理想性能，是当前国际功率半导体领域的研究前沿之一。然而，我国在GaN功率器件方面的研究与美、日、欧等发达国家相比存在一定差距，亟需打造具有我国自主知识产权的GaN功率器件。候选人围绕GaN功率器件在电压/功率等级、动态特性、栅极可靠性方面的技术挑战，开展了一系列具有国际领先水平的研究工作。

吴红飞

南京航空航天大学教授、博士生导师

吴红飞，南京航空航天大学教授、博士生导师。2008年6月本科毕业于南京航空航天大学并保送研究生，2013年3月博士毕业，而后留校任教至今，2018年破格晋升为教授。

他将个人研究兴趣与国家需求深度融合。过去十多年来，面向载人航天、深空探测等重大航天科技工程，主攻“高效率、轻量化航空航天电源系统”，在空间站大功率电源系统、高集成度航空航天电能源系统、脉冲特种功率电源等方面取得了一系列突破，成果服务于空间站、探月工程等多个国家重大科技工程。

梁琳

华中科技大学电气与电子工程学院研究员、博士生导师

梁琳，华中科技大学电气与电子工程学院研究员、博士生导师，主攻功率半导体器件及其应用领域研究工作，沿微秒级RSD、纳秒级DSRD、皮秒级FID等系列不同时间尺度开关器件逐级深入，由硅基扩展至碳化硅基，协同攻关芯片与封装关键技术，取得创新性成果。被推荐人是2019年中达青年学者奖获得者、连续3项国家自然科学基金项目负责人、国防基础科研计划项目负责人、国家重点研发计划课题执行负责人；发表SCI/EI/CSCD收录论文60余篇，合作出版专著2部；获授权国家发明专利14项，转让3项；获得国际国内多项重要学术组织任职，为IEEE高级会员。

工作中坚持以德立身、以德施教，将立德树人的理念贯穿于整个教学和科研过程中。

和巍巍

深圳基本半导体有限公司 总经理

和巍巍，深圳基本半导体有限公司总经理, 中国半导体行业协会理事和中国电源学会青工委秘书长。2007年毕业于清华大学电机系，2014年毕业于剑桥大学获电力电子专业博士学位。带领公司第三代半导体碳化硅功率器件研发团队荣获 “深圳市海外高层次人才创新创业计划-孔雀团队”荣誉，并作为深圳市唯一一家碳化硅研发企业参与创办“深圳第三代半导体研究院”。荣获第二十一届中国专利优秀奖和第四届“CASA第三代半导体卓越创新青年”奖。

和巍巍博士是国内电力电子行业知名专家，主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，在国际著名期刊和会议上发表多篇论文，在功率半导体器件和应用领域拥有专利数十项。

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